近日，我國(guó)自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)品面世。中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)組織的專家認(rèn)為，該成果國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
       碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心。長(zhǎng)期以來(lái)，碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品生產(chǎn)、加工難度大，一直是國(guó)內(nèi)空白，國(guó)際上只有少數(shù)國(guó)家掌握該技術(shù)，并一直對(duì)我國(guó)進(jìn)行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運(yùn)。
       據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開(kāi)始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品，軍用市場(chǎng)將在未來(lái)幾年推動(dòng)碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。可以說(shuō)，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國(guó)新一代雷達(dá)系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
       項(xiàng)目研發(fā)者、山東天岳公司負(fù)責(zé)人表示，4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國(guó)擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料，它將是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心，并將在機(jī)載雷達(dá)系統(tǒng)、地面雷達(dá)系統(tǒng)、艦載雷達(dá)系統(tǒng)以及彈載雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。