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碳化硅和氮化鎵的應(yīng)用將影響功率電子產(chǎn)業(yè)

關(guān)鍵詞 碳化硅 , 氮化鎵 , 功率電子|2014-10-22 09:09:44|來源 中國國防科技信息網(wǎng)
摘要 【據(jù)功率電子世界網(wǎng)站2014年10月14日報道】法國YoleDéveloppement(Yole)公司的研究顯示,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料技術(shù)的新型寬...
       【據(jù)功率電子世界網(wǎng)站2014年10月14日報道】法國Yole Développement(Yole)公司的研究顯示,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料技術(shù)的新型寬禁帶技術(shù)將會重新定義部分已建立的功率電子產(chǎn)業(yè)。SiC和GaN材料的優(yōu)勢已眾所周知。事實上,此類材料提供了更快的轉(zhuǎn)換頻率、更大的功率密度、更高的結(jié)點溫度以及更優(yōu)的電壓性能。

       Yole 公司在歐洲半導(dǎo)體設(shè)備展覽會的功率電子會議上分享其關(guān)于功率電子產(chǎn)業(yè)的愿景。會議期間,Yole公司將會參考新型材料如SiC和GaN的產(chǎn)品,詳述功率電子產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及其技術(shù)發(fā)展趨勢及相關(guān)參與者。

       從硅碳材料的角度分析,其一系列的應(yīng)用已經(jīng)成為一種主流趨勢。可以預(yù)見在不久的將來,SiC將會在高壓和超高電壓(高達(dá)1.7kV)領(lǐng)域扮演非常重要的角色。

       Yole公司功率電子部門高級市場分析師Pierric•Gueguen表示“在Yole公司,我們堅信這些電壓及相關(guān)功率范圍正是SiC技術(shù)適用領(lǐng)域。”去年6月,Yole公司公布了其功率GaN的市場報告,同時也證實了GaN材料在功率電子市場的引入。Yole公司的分析師確定了其多種應(yīng)用領(lǐng)域,尤其是用于低壓范圍如電源或功率因數(shù)校正領(lǐng)域的應(yīng)用。據(jù)該份技術(shù)及市場分析報告顯示,從2015至2018年電源及功率因數(shù)校正應(yīng)用部分將成為商業(yè)主導(dǎo),其銷售額將占整體銷售額的50%,。

       然而,伴隨著新型寬禁帶技術(shù)的應(yīng)用,功率電子產(chǎn)業(yè)也將會面臨新技術(shù)的挑戰(zhàn)。事實上,現(xiàn)有的封裝解決方案并不能很好的匹配GaN和SiC的特性。在此背景下,一些公司開發(fā)了一種增強(qiáng)型封裝策略用以提升性能。據(jù)Yole公司稱,基于該新型封裝解決方案,到2016年功率模塊市場份額將會達(dá)到2億美元。(工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所 徐博源 唐旖濃)
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