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德國NEULAND項目:“利用SiC和GaN on Si可將能源損失減半”

關鍵詞 德國NEULAND項目|2010-12-27 00:00:00|來源 中國磨料磨具網
摘要 德國研究項目“NEULAND”的6家成員企業宣布,通過使用新半導體材料,能將可再生能源、通信及照明各系統的能源損失減半。NEULAND項目得到德國聯邦教育研究部(BMBF)約470...
  德國研究項目“NEULAND”的6家成員企業宣布,通過使用新半導體材料,能將可再生能源、通信及照明各系統的能源損失減半。NEULAND項目得到德國聯邦教育研究部(BMBF)約470萬歐元的資助。參加企業為來自德國半導體業界和太陽能發電業界的6家公司:愛思強(Aixtron AG)、Azzurro Semiconductors、英飛凌科技(Infineon Technologies AG)、MicroGaN GmbH、SiCrystal及艾思瑪太陽能(SMA Solar Technology AG),預計項目將持續到2013年中期。
  
  NEULAND將利用碳化硅(SiC)和硅(Si)基板上的氮化鎵(GaN)等寬帶隙化合物半導體,開發能源效率高、成本低的功率元件。目標是通過使用該元件,在無需大幅提高系統成本的基礎上,將太陽能發電等產生的電力損耗削減一半。NEULAND表示,計劃將來把這種元件用于臺式電腦、筆記本電腦、平板電視、服務器以及通信系統等的電源,在這些應用中預計也能將能源損失減半。
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