申請(qǐng)?zhí)枺?01310154570.1 申請(qǐng)日：2013-04-28

       摘要：本發(fā)明涉及一種納米碳化硅的制備方法，屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域。將納米二氧化硅和炭質(zhì)材料混合均勻，然后將混合物壓制成片并燒結(jié)后作為陰極，以石墨為陽(yáng)極，將陰極和陽(yáng)極放入熔融的氯化物熔鹽電解質(zhì)中，在500℃～1000℃溫度下，在陰極和陽(yáng)極之間施加電壓進(jìn)行電解，將陰極制備得到的產(chǎn)物依次經(jīng)過(guò)堿洗、水洗和干燥，最終得到高純度的納米SiC。該工藝具有流程短、能耗低，對(duì)環(huán)境友好等特點(diǎn)。

       申請(qǐng)人： 昆明理工大學(xué)
       地址： 650093 云南省昆明市五華區(qū)學(xué)府路253號(hào)
       發(fā)明(設(shè)計(jì))人： 馬文會(huì) 謝江生 魏奎先 秦博 伍繼君 謝克強(qiáng) 周陽(yáng) 龍萍 楊斌 戴永年
       主分類號(hào)： C01B31/36(2006.01)I
       分類號(hào)： C01B31/36(2006.01)I B82Y30/00(2011.01)I