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官方微信摘要 1．成膜速率提高（電離率高，放電電流大）。2．基體溫升降低。3．磁控濺射的空間局限于靶與基體之間，粒子到達基體的準確度高，不需要的部位沒有。因此真空容器容易清洗，操作方便。4．膜層...
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1． 成膜速率提高（電離率高，放電電流大）。 2． 基體溫升降低。 3． 磁控濺射的空間局限于靶與基體之間，粒子到達基體的準確度高，不需要的部位沒有。因此真空容器容易清洗，操作方便。 4． 膜層致密，并且與基體結(jié)合力強。這是因為磁控濺射產(chǎn)生的靶原子的能量高。 |
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1． 成膜速率提高（電離率高，放電電流大）。 2． 基體溫升降低。 3． 磁控濺射的空間局限于靶與基體之間，粒子到達基體的準確度高，不需要的部位沒有。因此真空容器容易清洗，操作方便。 4． 膜層致密，并且與基體結(jié)合力強。這是因為磁控濺射產(chǎn)生的靶原子的能量高。 |
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